Fluorine-Based Low-Damage Selective Etching Process for E-Mode p-GaN/A…
페이지 정보
본문
ISSN
| 2079-9292 |
vol.
| 12(20) |
pp.
4347-4358
- 이전글Design of Trench MIS Field Plate Structure for Edge Termination of GaN Vertical PN Diode 24.08.01
- 다음글Recess-Free E-Mode AlGaN/GaN MIS-HFET with Crystalline PEALD AlN Passivation Process 24.08.01
댓글목록
등록된 댓글이 없습니다.